供应H6N03LA
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INFINEON/英飞凌
H6N03LA
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
45（V）
45（V）
30（μS）
30（pF）
30（dB）
30（mA）
45（mW）
