供应场效应管IPD12CN10N
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INFINEON/英飞凌
IPD12CN10N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
100（V）
100（V）
24（μS）
4600（pF）
24（dB）
500（mA）
6000（mW）
