供应场效应FDD3672
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FAIRCHILD/*童
FDD3672
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
100（V）
100（V）
24（μS）
500（pF）
24（dB）
500（mA）
400（mW）
