供应场效应IRFB23N15DPBF
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"IR/国际整流器
IRFB23N15DPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
O/振荡
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45(V)
45(V)
45(μS)
30(pF)
30(dB)
10(mA)
50(mW)