供应场效应D4NK80Z

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

D4NK80Z

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

800(V)

夹断电压

800(V)

跨导

24(μS)

*间电容

24(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

500(mA)

耗散功率

600(mW)