供应场效应GS10B60KD

地区:广东 汕头
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品牌

IR/国际整流器

型号

GS10B60KD

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

600(V)

夹断电压

600(V)

跨导

24(μS)

*间电容

500(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

500(mA)

耗散功率

600(mW)