供应场效应管IPB180N04S3-02
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INFINEON/英飞凌
IPB180N04S3-02
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
40（V）
40（V）
24（μS）
14300（pF）
24（dB）
5000（mA）
5000（mW）
