蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
65F660
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24500(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
低压mosfet
mosfet型号
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
场效应管IRLR8721
供应场效应管STD155N3LH6
供应场效应管IRFR2607Z
供应场效应管IPB19N06L3G
供应场效应PHD78NQ03LT
供应场效应BUK552-100A
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