场效应PHD78NQ03LT

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品牌/商标

NXP/恩智浦

型号/规格

PHD78NQ03LT

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

45（μS）

*间电容

45（pF）

低频噪声系数

45（dB）

漏*电流

45（mA）

耗散功率

45（mW）