蔡楚杰
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ST.ON/英飞凌
11N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
24(μS)
780(pF)
24(dB)
500(mA)
6900(mW)
低压mosfet
电力场效应晶体管
mosfet引脚
mosfet型号
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