供应场效应IRLL024Z
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IR/国际整流器
IRLL024Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
45(V)
45(V)
50(μS)
50(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)