供应场效应NTD60N02
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"0N/安森美
NTD60N02
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
45（V）
45（V）
45（μS）
30（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
