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供应场效应IGB50N60T

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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品牌

INFINEON/英飞凌

型号

IGB50N60T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

600（V）

夹断电压

60（V）

跨导

24（μS）

*间电容

450（pF）

低频噪声系数

24（dB）

漏*电流

500（mA）

耗散功率

600（mW）