供应场效应LL014N
地区：广东 汕头
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IR/国际整流器
LL014N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
50（V）
50（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
