供应场效应LL014N

地区:广东 汕头
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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

LL014N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

45(V)

夹断电压

50(V)

跨导

50(μS)

*间电容

45(pF)

低频噪声系数

45(dB)

漏*电流

45(mA)

耗散功率

45(mW)