蔡楚杰
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ST/意法
STD1NK60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
600(V)
23(μS)
24(pF)
24(dB)
500(mA)
500(mW)
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
低压mosfet
恒泰柯功率MOSFET
供应场效应管BSP298(图)
供应场效应N308AD
供应场效应管IRLR7833
供应场效应IRF1503S
供应场效应STU5N95K3
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