供应场效应N308AD
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FAIRCHILD/*童
N308AD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CHIP/小型片状
IGBT*缘栅比*
30(V)
30(V)
45(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)