供应场效应N308AD
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FAIRCHILD/*童
N308AD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CHIP/小型片状
IGBT*缘栅比*
30（V）
30（V）
45（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
