蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
IPD105N03LG
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
低压mosfet
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
恒泰柯功率MOSFET
供应场效应IPA057N06N3G
供应场效应管IPB015N04LG
高压场效应管B20NM60D(图)
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