供应场效应IPA057N06N3G
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INFINEON/英飞凌
IPA057N06N3G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
60（V）
60（V）
24（μS）
450（pF）
24（dB）
500（mA）
600（mW）
