蔡楚杰
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FAIRCHILD/*童
FDD3680
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
75(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
供应VNN7NV04PTR-E SOT-223 ST 场效应管
YFW8N65AD TO-252场效应管 YFW佑风微
2N7002KT SOT-523场效应管 YFW佑风微
YFW6P03SI SOT-89场效应管 YFW佑风微
供应场效应PHD78NQ03LT
供应场效应管FR3707ZC
供应场效应管SPD30N03S2L-10G
供应场效应21N50C3
供应场效应管IPB075N04LG
供应场效应管STP60NS04ZB
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