供应场效应21N50C3
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INFINEON/英飞凌
21N50C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45（V）
45（V）
50（μS）
50（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
