蔡楚杰
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ST/意法
STB36NF06L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
低压mosfet
电力场效应晶体管
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
供应场效应管FDB045AN08AO
供应场效应管IRFR3607
供应场效应管AOD3N60
供应场效应管AP73T03GH
场效应IRLL024Z
IRFR3706CPBF
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