场效应IRLL024Z
地区：广东 汕头
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRLL024Z | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压：45（V） |
| 夹断电压：45（V） | 跨导：50（μS） | *间电容：50（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z供应场效应IRLL024Z
"
