场效应IRLL024Z

地区:广东 汕头
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蔡楚杰

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品牌:IR/国际整流器型号:IRLL024Z种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-P-FET锗P沟道开启电压:45(V)
夹断电压:45(V) 跨导:50(μS) *间电容:50(pF)
低频噪声系数:45(dB) *大漏*电流:45(mA) *大耗散功率:45(mW)

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