供应场效应STD70NH02L-1
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ST/意法
STD70NH02L-1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
30（V）
30（V）
345（μS）
45（pF）
45（dB）
50（mA）
45（mW）
