蔡楚杰
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0N/安森美
NTD5867NL
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
YFW60N03NF PDFN5*6-8L场效应管 YFW佑风微
YFWG180N10AT TO-220AB场效应管 YFW佑风微
YFW5N65AD TO-252场效应管 YFW佑风微
YFW8N60AS TO-263场效应管 YFW佑风微
供应场效应管IRLU7843
供应场效应管FCB11N60
供应场效应管FR3710Z
供应场效应管IRFR3518
供应场效应管STD*K50Z
供应场效应管IPB180N04S3-02
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