蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
IPD079N06L3G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
mosfet场效应管
低压mosfet
mosfet引脚
电力场效应晶体管
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