蔡楚杰
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0N/安森美
NID9N05CL
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
55(V)
24(μS)
580(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
电力场效应晶体管
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