蔡楚杰
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AOS/美国万代
AOD4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
75(V)
24(μS)
3450(pF)
24(dB)
500(mA)
600(mW)
mosfet型号
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
低压mosfet
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供应场效应STD4NK80Z
供应场效应管NTD110N02R
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