供应场效应2SK2341
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"NEC/日本电气
2SK2341
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
45(V)
454(V)
5(μS)
45(pF)
45(dB)
45(mA)
45(mW)