蔡楚杰
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FAIRCHILD/*童
FQD18N20V2
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
5(V)
200(V)
24(μS)
1080(pF)
24(dB)
15000(mA)
83000(mW)
电力场效应晶体管
低压mosfet
恒泰柯功率MOSFET
mosfet引脚
供应场效应管RFD15P05
IRFR3706CPBF
场效应管4N60
供应场效应管IPU060N03LG
供应场效应管TK2Q60D
高压场效应管16N65M5(图)
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