场效应IRLL024N
地区：广东 汕头
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| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRLL024N | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：30（μS） | *间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
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