场效应IRLL024N

地区:广东 汕头
认证:

蔡楚杰

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌:IR/国际整流器型号:IRLL024N种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:耗尽型用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:30(μS) *间电容:45(pF)
低频噪声系数:45(dB) *大漏*电流:45(mA) *大耗散功率:45(mW)

供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N供应场效应IRLL024N