场效应PHX18NQ11T
地区:广东 汕头
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产品属性
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品牌:PHIL | 型号:PHX18NQ11T | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:30(μS) | *间电容:45(pF) |
低频噪声系数:45(dB) | *大漏*电流:45(mA) | *大耗散功率:45(mW) |
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