场效应PHD98N03
地区：广东 汕头
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
| 品牌：PHIL | 型号：PHD98N03 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | *间电容：4（pF） |
| 低频噪声系数：54（dB） | *大漏*电流：5（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
原装供应场效应PHD98N03
