场效应PHD98N03

地区:广东 汕头
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品牌:PHIL型号:PHD98N03种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) *间电容:4(pF)
低频噪声系数:54(dB) *大漏*电流:5(mA) *大耗散功率:45(mW)

原装供应场效应PHD98N03

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