场效应管011N04N(图)

地区:广东 汕头
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品牌:INFINEON/英飞凌型号:011N04N种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:40(V)
夹断电压:40(V) 跨导:50(μS) *间电容:6000(pF)
低频噪声系数:24(dB) *大漏*电流:500(mA) *大耗散功率:500(mW)

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