放大三*管，*放大三*管，*

三*管的工作原理及基础知识

1 三*管的结构和分类

其共同特征就是具有三个电*，这就是“三*管”简称的来历。通俗来讲，三*管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。

上述三层结构即为三*管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三*管的这种内部结构特点，是三*管能够起放大作用的内部条件。

三个区各自引出三个电*，分别为基*（b） 、发射*（e）和集电*（c）。

如图b所示，三层结构可以形成两个PN结，分别称为发射结和集电结。三*管*号中的箭头方向就是表示发射结的方向。

三*管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三*管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。

2 三*管的电流放大作用

直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电*反向偏置。改变可调电阻Rb，基*电流IB，集电*电流Ic 和发射*电流IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：

（1） IE ＝ IB ＋ IC ( *合克希荷夫电流定理）

（2） IC ≈ IB ×? （ ?称为电流放大系数，可表征三*管的电流放大能力）

（3）△ IC ≈ △ IB ×?

由上可见，三*管是一种具有电流放大作用的模拟器件。





3 三*管的放大原理





以下用NPN三*管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大

原理，

1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射*电流IE。

2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射*扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基*电流IB，而剩下的*大部分电子*扩散到集电结边缘。

3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电*电流IC。

4 三*管的输入输出特性

三*管的输入特性是指当集-射*电压UCE为常数时，基*电流IB与基-射*电压UBE之间的关系曲线。

对硅管而言，当UCE*过1V时，集电结已经**反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的*大部分拉入集电区。如果此时再*UCE ，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就*）， IB也就基本不变。就是说，当UCE*过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。

由图可见，和二*管的伏安特性一样，三*管的输入特性也有一段*区，只有当UBE大于*区电压时，三*管才会出现基*电流IB。通常硅管的*区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V。

三*管的输出特性是指当基*电流IB*时，集电*电流IC与集-射*电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以三*管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区：

1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结*须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使UBE>0，UBC<0。

2、截止区： IB ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当UBE＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三*管*截止，常使UBE≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。

3、饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，放大区的?*适用于饱和区 。在饱和区， UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置。