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标准包装：2,500 类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单路 系列：-

FET型：MOSFETP通道，金属氧化物 FET特点：逻辑电平门 开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：30毫欧@7.5A,10V 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流-连续漏极(Id)@25°C：7.5A Id时的Vgs(th)（最大）：3V@250µA

闸电荷(Qg)@Vgs：67nC@10V 在Vds时的输入电容(Ciss)：1440pF@15V 功率-最大：1.1W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-261-4,TO-261AA 供应商设备封装：SOT-223-3 包装：带卷(TR)