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产品属性
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标准包装:1000
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏*源*电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:20A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:46 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(*大):2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 10V
功率 - *大:40W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:PW-MOLD
包装:散装
2SK2614
TOSHIBA(东芝)
TO-263
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
大功率
高频
NPN型