供应NTF6P02T3G 热卖库存，欢迎来电咨询

标准包装：4,000

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏*源*电压(Vdss)：20V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：10A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 6A，4.5V

Id 时的 Vgs(th)（*大）：1V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 16V

功率 - *大：8.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

包装：带卷 (TR)

其它名称：NTF6P02T3GOSNTF6P02T3GOS-NDNTF6P02T3GOSTR