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产品属性
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BFG425W参数:
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO:4.5V
集电*-基*电压VCBO:10V
发射*-基*电压VEBO:1.0V
集电*直流电流IC:20-30mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.135W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式:SOT-343R
功率特性:*率
*性:NPN型
结构:扩散型
材料:锗硅
封装材料:塑料封装
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=4.5V,V(BR)CBO=10V,V(BR)EBO=1.0V
直流放大系数hFE:50~120 @VCE=2V,IC=25mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:25.0GHz@ VCE=2V,IC=25mA
集电*允许电流IC:0.03(A)
集电**大允许耗散功率PT:0.135(W)
功率增益GUM:20dB@IC=25mA,VCE=2V,f=2GHz
反馈电容Cre:0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。
贴片型
BFG425W-SOT343
锗(Ge)
国产
微波