2SC4325丝印MO-高频三极管
地区：广东 广州
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
2SC4325NPN TRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
1. 简述：
本芯片采用硅外延工艺制造，具有高增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性；
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声初级小信号放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
集电极-发射极击穿电压：BVCEO=10V，最大集电极电流：IC=15mA,集电极耗散功率：PC=100mW，特征频率：fT=10GHz；
采用SOT323表面贴塑封，本体印字：MO-
2. 极限参数（Tamb=25℃）： | |||
参数名称 符号 额定值 单位 | |||
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 12 | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | 10 | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 2.5 | V |
集电极电流 | IC | 15 | mA |
耗散功率 | PT | 100 | mW |
最高结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65～ 150 | ℃ |
3. 电参数及规格（Tamb=25℃）： | ||||||
参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 | ||||||
集电极截止电流 | ICBO | VCB=6V,IE=0 | - | - | 0.05 | μA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=6V,IC=5mA | 60 | 120 | 250 |
|
特征频率 | fT | VCE=6V,IC=5mA | - | 9 | - | GHz |
反馈电容 | Cre | IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz | - | 0.2 | - | pF |
集电极电容 | CC | IE=ie=0,VCB=6V,f=1MHz | - | 0.3 | - | pF |
发射极电容 | Ce | IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz | - | 0.4 | - | pF |
插入功率增益 | ∣S21∣2 | IC=5mA,VCE=6V,f=900MHz | 13 | 14 | - | dB |
噪声系数 | NF | VCE=6V,IC=1.25mA,f=900MHz | - | 1.2 | 1.7 | dB |
VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz | - | 1.6 | 2.1 | dB | ||
VCE=8V,IC=1.25mA,f=2GHz | - | 1.9 | - | dB | ||
最大单边功率增益 | GUM | IC=5mA,VCE=6V,f=900MHz | - | 14 | - | dB |
IC=5mA,VCE=6V,f=2GHz | - | 11 | - | dB | ||
封装形式SOT323、FT=10GHZ、IC=15MA
2SC4325-MO
硅(Si)
北京鼎霖电子
微波
