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2SC4226-SOT323或者SOT23-R25封装微波宽带三极管

地区：广东 广州
认证： 无

北京鼎霖电子科技有限公司

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2SC4226NPNTRANSISTOR (NPN)

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR                           

简述：

            本芯片采用硅外延工艺制造；

            具有高功率增益放大以及低噪声特性；

            大动态范围，理想的电流线性；

            主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器；

            封装形式：SOT-323或者SOT-23；                                            

            集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA,集电极功率：PC=150mW，特征频率：fT=4.5GHz。

极限参数（Tamb=25℃）：

 

参数名称

符号

额定值

单位

集电极-基极击穿电压

BVCBO

20

V

集电极-发射极击穿电压

BVCEO

12

V

发射极-基极击穿电压

BVEBO

3

V

集电极电流

IC

100

mA

耗散功率

PT

150

mW

最高结温

TJ

150

℃

储存温度

Tstg

-65～ 150

℃

 

电参数及规格（Tamb=25℃）：

 

参数名称

符号

测试条件

额定值

单位

最小值

典型值

最大值

集电极截止电流

ICBO

VCB=10V,IE=0

-

-

1.0

μA

发射极截止电流

IEBO

VEB=1.0V,IC=0

-

-

1.0

μA

直流电流放大系数

hFE

VCE=3V,IC=7mA

40

160

250

 

特征频率

fT

VCE=3V,IC=7mA

3.0

4.5

-

GHz

反馈电容

Cre

IC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz

-

0.7

1.5

pF

插入功率增益

∣S21∣2

IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

-

7.9

-

dB

噪声系数

NF

VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz

-

1.2

2.5

dB

 

 

 

                                  

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

Q

R

S

Range

40～80

70～140

125～250

Marking

R23

R24

R25

      

PACKAGE INFORMATION

Device

Package

Shipping

Inner Box

Carton

2SC4226

SOT-323

3000/Tape&Reel

15 Tape&Reel

4 Inner Box

 

"
封装形式

贴片型

型号/规格

2SC4226-R25

材料

硅(Si)

品牌/商标

国产

应用范围

微波