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国内生产PBR951-SOT23军工雷达技术质量性能优于进口

地区：广东 广州
认证： 无

北京鼎霖电子科技有限公司

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PBR951NPNTRANSISTOR (NPN)

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR                           

简述：

             本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性；

             主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV放大和RF通信用户设备上；

             其基本性能指标等同于PHILIPS公司的PBR951、BFR93（A）、BFR520等产品；

             封装形式：SOT-23；                                            

             集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=500mW,特征频率：fT=7GHz。

 

极限参数（Tamb=25℃）：

参数名称

符号

额定值

单位

集电极-基极击穿电压

BVCBO

20

V

集电极-发射极击穿电压

BVCES

10

V

发射极-基极击穿电压

BVEBO

1.5

V

集电极电流

IC

100

mA

耗散功率

PT

500

mW

最高结温

TJ

150

℃

储存温度

Tstg

-65～ 150

℃

 

电参数及规格（Tamb=25℃）：

参数名称

符号

测试条件

额定值

单位

最小值

典型值

最大值

集电极-基极击穿电压

BVCBO

IC=0.1mA, IE=0

20

-

-

V

集电极-发射极击穿电压

BVCES

IC=0.1mA, IB=0

10

-

-

V

发射极-基极击穿电压

BVEBO

IE=0.01mA, IC=0

1.5

-

-

V

集电极截止电流

ICBO

VCB=10V,IE=0

-

-

100

nA

直流电流放大系数

hFE

VCE=6V,IC=5mA

50

100

200

 

VCE=6V,IC=15mA

-

100

-

 

反馈电容

Cre

IC=0,VCE=6V,f=1MHz

-

0.4

-

PF

特征频率

fT

VCE=6V,IC=30mA, f=1GHz

-

8

-

GHz

最大单边功率增益

GUM

IC=30mA,VCE=6V,f=1GHz

-

14

-

dB

IC=30mA,VCE=6V,f=2GHz

-

8

-

dB

噪声系数

NF

VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz

-

1.3

-

dB

VCE=6V,IC=5mA,f=2GHz

-

2.0

-

dB

 

 

 

 

                                                                                                                                                                                                              

包装信息PACKAGE INFORMATION

Device

Package

Shipping

Inner Box

Carton

PBR951

SOT-23

3000/Tape&Reel

10 Tape&Reel

6 Inner Box

 

      

MARKING

TYPE MUMBER

MARKING GODE

PBR951

W2

 

封装形式

贴片型

型号/规格

PBR951

材料

硅(Si)

品牌/商标

国产

应用范围

微波