厂家质量*2S*226

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2S*226NPNTRANSISTOR (NPN)

MICROW*E LOW *ISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR                           

简述:

            本芯片采用硅外延工艺制造;

            具有高功率增益放大以及低噪声特性;

            大动态范围,理想的电流线性;

            主要应用于*频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器;

            封装形式:SOT-323或者SOT-23;                                            

            集电*-基*击穿电压:BVCEO=15V集电*电流:IC=100mA,集电*功率PC=200mW特征频率fT=4.5GHz

*限参数(Tamb=25℃):

 

参数名称

*号

额定值

单位

集电*-基*击穿电压

BVCBO

20

V

集电*-发射*击穿电压

BVCEO

12

V

发射*-基*击穿电压

BVEBO

3

V

集电*电流

IC

100

mA

耗散功率

PT

150

mW

*高结温

TJ

150

储存温度

Tstg

-65+150

 

电参数及规格(Tamb=25℃):

 

参数名称

*号

测试条件

额定值

单位

*小值

典型值

*大值

集电*截止电流

ICBO

VCB=10V,IE=0

-

-

1.0

μA

发射*截止电流

IEBO

VEB=1.0V,IC=0

-

-

1.0

μA

直流电流放大系数

hFE

VCE=3V,IC=7mA

40

160

250

 

特征频率

fT

VCE=3V,IC=7mA

3.0

4.5

-

GHz

反馈电容

Cre

IC=ic=0,VCB=3V,f=1MHz

-

0.7

1.5

pF

*功率增益

∣S212

IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

-

7.9

-

dB

噪声系数

NF

VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz

-

1.2

2.5

dB

 

 

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2S*226NPN型微波低噪声晶体管    北京鼎霖

 
 

 

 
 
 
  

 

 

PACKAGE INFORMATION

Device

Package

Shipping

Inner Box

Carton

2SC3356

SOT-23

3000/Tape&Reel

15 Tape&Reel

4 Inner Box

 

 

 

 

PACKAGE INFORMATION

Device

Package

Shipping

Inner Box

Carton

2SC3356

SOT-323

3000/Tape&Reel

15 Tape&Reel

4 Inner Box

 

 

 

 

 

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

Q

R

S

Range

4080

70140

125250

Marking

R23

R24

R25

      

 

 

 

                                  

 

 

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封装形式

贴片型

型号/规格

2S*226-SOT323

材料

硅(Si)

品牌/商标

国产

应用范围

微波