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产品属性
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北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月,公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线,主要从事民用及*等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备,与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套,形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二*管、微波功率器件、快恢复功率二*管、MEMS器件等产品,月产量*5000圆片。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证,秉承顾客至上、管理规范、用心*、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于*、民用电子整机产品上,受到广大客户的普遍好评及*。
2SC5508参数:
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO:3.3V
集电*-基*电压VCBO:15V
发射*-基*电压VEBO:1.5V
集电*直流电流IC:35mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:0.115W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式:SOT-343
功率特性:*率
*性:NPN型
结构:扩散型
材料:锗硅
封装材料:塑料封装
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=3.3V,V(BR)CBO=15V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系数hFE:50~100@VCE=3V,IC=5mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:25.0GHz@ VCE=3V,IC=30mA
集电*允许电流IC:0.035(A)
集电**大允许耗散功率PT:0.115(W)
功率增益GUM:20dB@IC=20mA,VCE=2V,f=2GHz
反馈电容Cre:0.095 pF @ IC=ic=0,VCB=2V,f=1MHz。
*功率增益∣S21∣:17dB@IC=20mA,VCE=2V,f=2GHz
"
贴片型
2SC5508,SOT-343
锗(Ge)
国产
微波