高频三*管

简介

BFQ591硅*频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特 性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于*频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。该芯片 原产于philips公司，现在国内也有公司生产。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的*微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场 研制开发了系列高频微波三*管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S*226，BFR540，BFR520等，其性能指标同 NEC、philips同类产品相同。

BFQ591参数

类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

集电*-发射*电压VCEO：15V

集电*-基*电压VCBO:20V

发射*-基*电压VEBO:3.0V

集电*直流电流IC:200mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

封装形式：SOT-89

功率特性：*率

*性：NPN型

结构：扩散型

材料：硅(Si)

封装材料：塑料封装

电性能参数（TA=25℃）：

击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

直流放大系数hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA

集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)

发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)

特征频率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA

集电*允许电流IC：0.2（A）

集电**大允许耗散功率PT：2.25（W）

*功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz

反馈电容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。