供应石英晶体——22.1184M

地区:北京 北京市
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北京锦天同业

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HC-49U

 

 频率:1.8180MHz     

封装:10.82×4.47×12.86mm ;

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-2070   ±20ppm

负载电容:20pF

激励功率:10μW5MW(t*ical)       

静电容:7.0pF Max  

老化率:±5ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

HC-49S-SMD 

          频率:3.5M90MHz

封装:HC-49S

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10MW t*ical

静电容:7.0pF Max

老化率:±5ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

HC-49S

         频率:3.5M90MHz

封装:HC-49S DIP

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10MW t*ical;5μW Max

静电容:7.0pF Max

老化率:±5ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

*8035

         频率:11.5M180MHz

封装:8.0×3.5×6.0mmDIP

频率精度:±10ppm ±20ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10μW5mW(t*ical)

静电容:7.0pF Max

老化率:(±3.0±5.0)ppm/year

存储温度:-55℃~125

CF3225

         频率:16M26MHz

封装:3.2×2.5×0.6mmSMD

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10μW ;5μW t*ical

静电容:7.0pF Max

老化率:±0.1ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

CF4025

         频率:12M32MHz

封装:4.0×2.5×0.8mm SMD

频率精度:±5ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10μW t*ical ;100μW Max

静电容:3.0pF Max

老化率:±1.0ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

CF5032

        频率:11M48MHz

封装:5.0×3.2×0.9mm SMD

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10mW t*ical ;5μW Max

静电容:7.0pF Max

老化率:±1.0ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

CF6035

频率:9.6M49MHz

封装:6.0×3.5×1.0mm SMD

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10mW t*ical ;5μW Max

静电容:7.0pF Max

老化率:±1.0ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

*5032

频率:10M60MHz

封装:5.0×3.2×1.2mm SMD

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF

激励功率:10μW ;5μW  (t*ical)

静电容:7.0pF Max

老化率:±5.0ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

*8045

频率:7.3728M100MHz

封装:8.0×4.5×1.5(1.7)mm SMD

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF or Series

激励功率:10MW t*ical;5μW 

静电容:7.0pF Max

老化率:±5.0ppm/year(*年)

存储温度:-55℃~125

*1030

频率:3.579M60MHz

封装:10.0×3.0mm DIP

频率精度:±10ppm ±50ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF or Series

激励功率:0.01mW0.1mW (t*ical) 

静电容:7.0pF Max

老化率:(±3.0±5.0)ppm/year

存储温度:-55℃~125

*6020

频率:25.6KHz200KHz

封装:6.0×2.0mm DIP

频率精度:±5ppm ±20ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF or Series

激励功率: 0.1mW (t*ical) 

静电容:7.0pF Max

老化率:(±3.0±5.0)ppm/year

存储温度:-55℃~125

*8030

频率:25.6KHz200KHz

封装:8.0×3.0mm DIP

频率精度:±5ppm ±20ppm

温度稳定度:-20℃~70   ±20ppm

负载电容:650pF or Series

激励功率: 0.1mW (t*ical) 

静电容:7.0pF Max

老化率:(±3.0±5.0)ppm/year

存储温度:-55℃~125

定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。

本公司以"信誉*,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.

型号/规格

49S——22.1184M

品牌/商标

台达

主要用途

工业电子电气设备

*类别

无铅*型

安装方式

直插