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产品属性
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频率:32.768KHz
封装:4.0×2.5×
工作电压:+1.3V~5.5V
输出波形:CMOS
频率精度:(+5 ±20)ppm (Vdd=+3.3V,
温度稳定度:(-120℃~+
负载电容:15pF
输出电平:VOL 4.0V max / VOH(VDD-0.4V)min (CL=15pF,
存储温度:-55℃~
品质:无铅*
OF2520
频率:0.750MHz~50.000MHz
封装:2.5×2.0×
工作电压:+3.3V ±5%;+3.0V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度:±30(-20℃~+
负载电容:15pF
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF3225
频率:0.75MHz~75.00MHz
封装:3.2×2.5×
工作电压:+3.3V ±5%;+2.5V ±5%;+1.8V ±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm~±50ppm
负载电容:15pF or Specify
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF3225
频率:0.5MHz~45.0MHz
封装:3.2×2.5×
工作电压:+3.3V 、 +2.7V 、 +5.0VDC±10%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±10ppm;±15ppm
负载电容:15pF Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±2ppm/year Max
存储温度:-40℃~
OF5032
频率:0.5MHz~125.0MHz
封装:5.0×3.2×
工作电压:+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15pF Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF5032
频率:10MHz~168.0MHz
封装:5.0×3.2×
工作电压:+3.3V 、 +1.8V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15Pf Max
输出电平:VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin
老化率:±3ppm/year Max
存储温度:-55℃~
OF7050
频率:6MHz~200.0MHz
封装:7.0×5.0×
工作电压:+3.3V or Specify
输出波形:P:PECL
温度稳定度: ±25ppm;±50ppm; ±100ppm
负载电容:15pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OS7550
频率:19.44MHz~320.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压:+3.3V +2.5V
输出波形:P:PECL、LVDS
温度稳定度: (-20℃~+
负载电容:100pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OS7550
频率:100MHz~700.0MHz
封装:7.5×5.0×
工作电压:+3.3V +2.5V
输出波形:P:PECL
温度稳定度: (-20℃~+
负载电容:50pF
老化率:±5ppm/year
存储温度:-55℃~
OF1281
频率:1MHz~125.0MHz
封装:12.8×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15pF(*30pF)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
OF2041
频率:1MHz~125MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15Pf(*30Pf)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
OF2041
频率:1MHz~70.0MHz
封装:20.4×12.8×
工作电压:+5V±5% +3.3V±5%
输出波形:CMOS
温度稳定度: ±25ppm ±50ppm ±100ppm
负载电容:15Pf(*30Pf)
老化率:±3ppm/year
存储温度:-55℃~
定做方法:用户可以提出相应的参数和指标定做,例如:封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。
本公司以"信誉*,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系!欢迎您的来电垂询.
QQ:499511163
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