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产品属性
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石英晶体
HC-49U
频率:1.8~180MHz ;
封装:10.82×4.47×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:
负载电容:20pF
激励功率:10μW~5MW(t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
HC-49S-SMD
频率:
封装:HC-49S
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10MW t*ical;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
HC-49S
频率:
封装:HC-49S DIP
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10MW t*ical;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±5ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
*8035
频率:
封装:8.0×3.5×6.0mmDIP
频率精度:±10ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW~5mW(t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
CF3225
频率:
封装:3.2×2.5×0.6mmSMD
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW ;5μW t*ical
静电容:7.0pF Max
老化率:±0.1ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
CF4025
频率:
封装:4.0×2.5×
频率精度:±5ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW t*ical ;100μW Max
静电容:3.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
CF5032
频率:
封装:5.0×3.2×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10mW t*ical ;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
CF6035
频率:
封装:6.0×3.5×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10mW t*ical ;5μW Max
静电容:7.0pF Max
老化率:±1.0ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
*5032
频率:
封装:5.0×3.2×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF
激励功率:10μW ;5μW (t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:±5.0ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
*8045
频率:
封装:8.0×4.5×1.5(1.7)mm SMD
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率:10MW t*ical;5μW
静电容:7.0pF Max
老化率:±5.0ppm/year(*年)
存储温度:-55℃~
*1030
频率:
封装:10.0×
频率精度:±10ppm~ ±50ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率:0.01mW~0.1mW (t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
*6020
频率:25.6KHz~200KHz
封装:6.0×
频率精度:±5ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率: 0.1mW (t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
*8030
频率:25.6KHz~200KHz
封装:8.0×
频率精度:±5ppm~ ±20ppm
温度稳定度:-20℃~
负载电容:6~50pF or Series
激励功率: 0.1mW (t*ical)
静电容:7.0pF Max
老化率:(±3.0~±5.0)ppm/year
存储温度:-55℃~
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