供应晶体——11.0592M

HC-49U

 频率：1.8～180MHz ；    

封装：10.82×4.47×12.86mm ;

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：20pF

激励功率：10μW～5MW(t*ical)       

静电容：7.0pF Max  

老化率：±5ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

HC-49S-SMD 

          频率：3.5M～90MHz

封装：HC-49S

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10MW t*ical

静电容：7.0pF Max

老化率：±5ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

HC-49S

         频率：3.5M～90MHz

封装：HC-49S DIP

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10MW t*ical;5μW Max

静电容：7.0pF Max

老化率：±5ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

*8035

         频率：11.5M～180MHz

封装：8.0×3.5×6.0mmDIP

频率精度：±10ppm～ ±20ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10μW～5mW(t*ical)

静电容：7.0pF Max

老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year

存储温度：-55℃～125℃

CF3225

         频率：16M～26MHz

封装：3.2×2.5×0.6mmSMD

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10μW ;5μW t*ical

静电容：7.0pF Max

老化率：±0.1ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

CF4025

         频率：12M～32MHz

封装：4.0×2.5×0.8mm SMD

频率精度：±5ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10μW t*ical ;100μW Max

静电容：3.0pF Max

老化率：±1.0ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

CF5032

        频率：11M～48MHz

封装：5.0×3.2×0.9mm SMD

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10mW t*ical ;5μW Max

静电容：7.0pF Max

老化率：±1.0ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

CF6035

频率：9.6M～49MHz

封装：6.0×3.5×1.0mm SMD

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10mW t*ical ;5μW Max

静电容：7.0pF Max

老化率：±1.0ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

*5032

频率：10M～60MHz

封装：5.0×3.2×1.2mm SMD

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF

激励功率：10μW ;5μW  (t*ical)

静电容：7.0pF Max

老化率：±5.0ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

*8045

频率：7.3728M～100MHz

封装：8.0×4.5×1.5(1.7)mm SMD

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF or Series

激励功率：10MW t*ical;5μW 

静电容：7.0pF Max

老化率：±5.0ppm/year(*年)

存储温度：-55℃～125℃

*1030

频率：3.579M～60MHz

封装：10.0×3.0mm DIP

频率精度：±10ppm～ ±50ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF or Series

激励功率：0.01mW～0.1mW (t*ical) 

静电容：7.0pF Max

老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year

存储温度：-55℃～125℃

*6020

频率：25.6KHz～200KHz

封装：6.0×2.0mm DIP

频率精度：±5ppm～ ±20ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF or Series

激励功率： 0.1mW (t*ical) 

静电容：7.0pF Max

老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year

存储温度：-55℃～125℃

*8030

频率：25.6KHz～200KHz

封装：8.0×3.0mm DIP

频率精度：±5ppm～ ±20ppm

温度稳定度：-20℃～70℃   ±20ppm

负载电容：6～50pF or Series

激励功率： 0.1mW (t*ical) 

静电容：7.0pF Max

老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year

存储温度：-55℃～125℃

定做方法：用户可以提出相应的参数和指标定做，例如：封状、相噪、输出波形、频点、精度、温度频差、负载电容、老化率等。

本公司以"信誉*,品质至上"的宗旨,期望与您建立长期友好的合作关系！欢迎您的来电垂询.