供应1500V,2A N-CH MOSFET管K2225

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供应1500V,2A N-CH MOSFET管2SK1837

Application
High speed power switching
Features
•  High breakdown voltage (VDSS = 1500 V)
•  High speed switching
•  Low drive current
•  No Secondary Breakdown
•  Suitable for Switching regulator, DC-DC converter

IGBT管的万用表检测方法

 

 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。

  综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
 
  如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。

型号/规格

2SK2225,K2225

品牌/商标

HITACHI

封装形式

TO-3PFM

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征