20V,6A,DUAL N-CH MOSFET管MMDF6N02HD

产品说明：

描述：	MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
标准包装：	2500
系列：	DUAL N-CH MOS
FET 型：	2 个 N 沟道（双）
FET 特点：	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	3.92A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	1100pF @ 16V
功率 - 最大：	730mW
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：	8-SOICN
包装：	剪切带 (CT)

MMDF6N02HD: Power MOSFET 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：

Ultra Low RDS(on)

Higher Efficiency Extending Battery Life

Logic Level Gate Drive

Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package

Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery

Avalanche Energy Specified

SO-8 Mounting Information Provided

Pb-Free Package is Available

应用：

DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards